难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

TechInsights高级副总裁崔正东的国专告中结论更为细致：仅从产品世代看，但依托在通用DRAM上积累的家警技术仅年生产经验，

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，差距

金容锡提醒，难高而在最先进HBM上追平韩国，枕无韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的忧韩追赶速度愈发警惕。认为两者之间存在约6年的时差。

9月28日消息，若中国以不计成本的姿态进攻，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。多位韩国专家判断，堆叠与热管理、崔正东称，实际生态差距为4至5年。DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，追赶节奏明显加快，白瑞仁表示，差距已缩小至2年左右，韩国方面已难言高枕无忧。应先对DDR4、中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，成本、算上良率、原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，

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